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2SD2695(T6CANO,A,F

2SD2695(T6CANO,A,F

僅供參考

型號 2SD2695(T6CANO,A,F
PNEDA編號 2SD2695-T6CANO-A-F
描述 TRANS NPN 2A 60V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2695(T6CANO資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2695(T6CANO,A,F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2695(T6CANO規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 1A, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8000 @ 1A, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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