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2SD2150T100S

2SD2150T100S

僅供參考

型號 2SD2150T100S
PNEDA編號 2SD2150T100S
描述 TRANS NPN 20V 3A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2150T100S資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2150T100S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2150T100S規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡290MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 2A, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 300mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 750mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 7.5A, 2V

功率-最大

200W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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