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2SD2033AT114E

2SD2033AT114E

僅供參考

型號 2SD2033AT114E
PNEDA編號 2SD2033AT114E
描述 TRANS NPN 160V 1.5A HRT/TO-220FP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2033AT114E資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2033AT114E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2033AT114E規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
功率-最大1.8W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱HRT
供應商設備包裝HRT

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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1V @ 50mA, 500mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 2A, 1V

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頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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