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2SD2012

2SD2012

僅供參考

型號 2SD2012
PNEDA編號 2SD2012
描述 TRANS NPN 60V 3A TO-220F
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2012資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2012
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2012規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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