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2SD1815T-E

2SD1815T-E

僅供參考

型號 2SD1815T-E
PNEDA編號 2SD1815T-E
描述 TRANS NPN 100V 3A TP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1815T-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1815T-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1815T-E, 2SD1815T-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 273.28 KB)
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2SD1815T-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

950mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 750mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

2.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 10A, 3V

功率-最大

6W

頻率-過渡

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