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2SD1624T-TD-H

2SD1624T-TD-H

僅供參考

型號 2SD1624T-TD-H
PNEDA編號 2SD1624T-TD-H
描述 TRANS NPN 50V 3A PCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1624T-TD-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1624T-TD-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1624T-TD-H, 2SD1624T-TD-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 349.53 KB)
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2SD1624T-TD-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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