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2SD1048-7-TB-E

2SD1048-7-TB-E

僅供參考

型號 2SD1048-7-TB-E
PNEDA編號 2SD1048-7-TB-E
描述 TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 88,926
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1048-7-TB-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1048-7-TB-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1048-7-TB-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic80mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 50mA, 2V
功率-最大200mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 80mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10A, 3V

功率-最大

130W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-247-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 300mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

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