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2SCR513PFRAT100

2SCR513PFRAT100

僅供參考

型號 2SCR513PFRAT100
PNEDA編號 2SCR513PFRAT100
描述 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 29,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR513PFRAT100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR513PFRAT100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SCR513PFRAT100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 50mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡360MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 1V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3A, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

TO-220-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 250mA, 10V

功率-最大

480mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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