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2SCR372P5T100Q

2SCR372P5T100Q

僅供參考

型號 2SCR372P5T100Q
PNEDA編號 2SCR372P5T100Q
描述 NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,422
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR372P5T100Q資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR372P5T100Q
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SCR372P5T100Q, 2SCR372P5T100Q數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,396.16 KB)
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2SCR372P5T100Q規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡220MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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