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2SC5095-O(TE85L,F)

2SC5095-O(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SC5095-O(TE85L,F)
PNEDA編號 2SC5095-O-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 28 - 六月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5095-O(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5095-O(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC5095-O(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡10GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.8dB @ 2GHz
增益13dB ~ 7dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 7mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)15mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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30mA

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3.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

1.3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

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