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2SC5087-O(TE85L,F)

2SC5087-O(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SC5087-O(TE85L,F)
PNEDA編號 2SC5087-O-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 14,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 29 - 六月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5087-O(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5087-O(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC5087-O(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益-
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-61AA
供應商設備包裝SMQ

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 800MHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 50mA, 9V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.4dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

180mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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