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2SC4915-Y,LF

2SC4915-Y,LF

僅供參考

型號 2SC4915-Y,LF
PNEDA編號 2SC4915-Y-LF
描述 RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4915-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4915-Y,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC4915-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡550MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益17dB ~ 23dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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制造商

NXP USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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