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2SC4915-O,LF

2SC4915-O,LF

僅供參考

型號 2SC4915-O,LF
PNEDA編號 2SC4915-O-LF
描述 RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 29 - 六月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4915-O資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4915-O,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC4915-O規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡550MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益17dB ~ 23dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

6.2dB

功率-最大

600W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17.8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

88W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.8dB

功率-最大

39W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

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