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2SC2229-Y(T6SAN2FM

2SC2229-Y(T6SAN2FM

僅供參考

型號 2SC2229-Y(T6SAN2FM
PNEDA編號 2SC2229-Y-T6SAN2FM
描述 TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2229-Y(T6SAN2FM資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2229-Y(T6SAN2FM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SC2229-Y(T6SAN2FM規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
功率-最大800mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 3A, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 60mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

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