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2SB772-GR-BP

2SB772-GR-BP

僅供參考

型號 2SB772-GR-BP
PNEDA編號 2SB772-GR-BP
描述 TRANSISTOR TO-92 MOD
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB772-GR-BP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB772-GR-BP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB772-GR-BP, 2SB772-GR-BP數據表 (總頁數: 2, 大小: 198.69 KB)
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2SB772-GR-BP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1A, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

520mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

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