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2SA2202-TD-E

2SA2202-TD-E

僅供參考

型號 2SA2202-TD-E
PNEDA編號 2SA2202-TD-E
描述 TRANS PNP 100V 2A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA2202-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA2202-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA2202-TD-E, 2SA2202-TD-E數據表 (總頁數: 4, 大小: 277.88 KB)
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2SA2202-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic240mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 5V
功率-最大1.3W
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

7W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 50V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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