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2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z

僅供參考

型號 2SA1955FVATPL3Z
PNEDA編號 2SA1955FVATPL3Z
描述 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 90,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1955FVATPL3Z資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1955FVATPL3Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SA1955FVATPL3Z規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大100mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝CST3

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ON Semiconductor

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 12V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 20mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 10A, 4V

功率-最大

30W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

115MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

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