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2SA1832-Y,LF

2SA1832-Y,LF

僅供參考

型號 2SA1832-Y,LF
PNEDA編號 2SA1832-Y-LF
描述 TRANS PNP 50V 0.15A SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1832-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1832-Y,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SA1832-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大100mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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500mA

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12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

120mW

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 300mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 20A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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