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2SA1708T-AN

2SA1708T-AN

僅供參考

型號 2SA1708T-AN
PNEDA編號 2SA1708T-AN
描述 TRANS PNP 100V 1A NMP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1708T-AN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1708T-AN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1708T-AN, 2SA1708T-AN數據表 (總頁數: 8, 大小: 626.41 KB)
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2SA1708T-AN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 40mA, 400mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-71
供應商設備包裝3-NMP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 500mA, 5V

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