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2N6990

2N6990

僅供參考

型號 2N6990
PNEDA編號 2N6990
描述 TRANS 4NPN 50V 0.8A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6990資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6990
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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2N6990規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型4 NPN (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-Flatpack
供應商設備包裝14-Flatpack

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

600mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

370mW

頻率-過渡

100MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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