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2N6497

2N6497

僅供參考

型號 2N6497
PNEDA編號 2N6497
描述 TRANS NPN 250V 5A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6497資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6497
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6497, 2N6497數據表 (總頁數: 5, 大小: 74.09 KB)
PDF2N6497G數據表 封面
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2N6497規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 2A, 5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 2.5A, 10V
功率-最大80W
頻率-過渡5MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

325mW

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220F

KSP6521BU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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