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2N6426_D26Z

2N6426_D26Z

僅供參考

型號 2N6426_D26Z
PNEDA編號 2N6426_D26Z
描述 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6426_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6426_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2N6426_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 500mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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100mA

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65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

185mV @ 10mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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