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2N6296

2N6296

僅供參考

型號 2N6296
PNEDA編號 2N6296
描述 PNP TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 23 - 六月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6296資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6296
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N6296規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 12A, 60A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 50A, 3V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2SB0792ASL

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

185V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

185 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 3A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

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工作溫度

150°C (TJ)

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