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2N6286G

2N6286G

僅供參考

型號 2N6286G
PNEDA編號 2N6286G
描述 TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6286G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6286G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PDF2N6286G數據表 封面
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2N6286G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 200mA, 20A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 10A, 3V
功率-最大160W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 6mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 4V

功率-最大

130W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 2V

功率-最大

430mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

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