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2N6249T1

2N6249T1

僅供參考

型號 2N6249T1
PNEDA編號 2N6249T1
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6249T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6249T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N6249T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 375mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 330mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

195MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 50mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10mA, 5V

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工作溫度

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