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2N6038

2N6038

僅供參考

型號 2N6038
PNEDA編號 2N6038
描述 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6038資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6038
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6038, 2N6038數據表 (總頁數: 7, 大小: 201.43 KB)
PDF2N6036數據表 封面
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2N6038規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 2A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

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150MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

25mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 5V

功率-最大

35W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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