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2N5657G

2N5657G

僅供參考

型號 2N5657G
PNEDA編號 2N5657G
描述 TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,566
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5657G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5657G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PDF2N5655G數據表 封面
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2N5657G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic10V @ 100mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 100mA, 10V
功率-最大20W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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10A

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170V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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