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2N5551TF

2N5551TF

僅供參考

型號 2N5551TF
PNEDA編號 2N5551TF
描述 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 32,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5551TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5551TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5551TF, 2N5551TF數據表 (總頁數: 11, 大小: 407.25 KB)
PDF2N5551BU數據表 封面
2N5551BU數據表 頁面 2 2N5551BU數據表 頁面 3 2N5551BU數據表 頁面 4 2N5551BU數據表 頁面 5 2N5551BU數據表 頁面 6 2N5551BU數據表 頁面 7 2N5551BU數據表 頁面 8 2N5551BU數據表 頁面 9 2N5551BU數據表 頁面 10 2N5551BU數據表 頁面 11

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2N5551TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 250mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 1V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 120mA, 12A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 6A, 3V

功率-最大

100W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 12V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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