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2N5193

2N5193

僅供參考

型號 2N5193
PNEDA編號 2N5193
描述 TRANS PNP 40V 4A TO126
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5193資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5193
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5193規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.4V @ 1A, 4A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 1.5A, 2V
功率-最大40W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.2A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 800mA, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 8V, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

-

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150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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