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2N5088TA

2N5088TA

僅供參考

型號 2N5088TA
PNEDA編號 2N5088TA
描述 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5088TA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5088TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2N5088TA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100µA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

USM

KSD363O

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1A, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

US6T5TR

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

265mV @ 275mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

900mW

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工作溫度

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