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2N5013

2N5013

僅供參考

型號 2N5013
PNEDA編號 2N5013
描述 NPN SILICON TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5013資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5013
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5013規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

800mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

15W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 1V

功率-最大

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