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2N4209

2N4209

僅供參考

型號 2N4209
PNEDA編號 2N4209_6B
描述 PNP SS ULTRA HS SAT SWITCH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4209資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4209
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N4209, 2N4209數據表 (總頁數: 9, 大小: 303.81 KB)
PDF2N4237數據表 封面
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2N4209規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 300mV
功率-最大300mW
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 125mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

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