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2N1131

2N1131

僅供參考

型號 2N1131
PNEDA編號 2N1131
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N1131資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N1131
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N1131規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 150mA, 10V
功率-最大2W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

功率-最大

100W

頻率-過渡

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4V @ 60mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 300mA, 5V

功率-最大

75W

頻率-過渡

13MHz

工作溫度

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 25A, 2V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

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