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1SD312F2-CM900HB-90H

1SD312F2-CM900HB-90H

僅供參考

型號 1SD312F2-CM900HB-90H
PNEDA編號 1SD312F2-CM900HB-90H
描述 IGBT GATE DRIVER PLUG&PLAY
制造商 Power Integrations
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SD312F2-CM900HB-90H資源

品牌 Power Integrations
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SD312F2-CM900HB-90H
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
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1SD312F2-CM900HB-90H規格

制造商Power Integrations
系列SCALE™-1
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電15.5V ~ 16.8V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)12A, 12A
輸入類型-
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)100ns, 100ns
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

30V

上升/下降時間(典型值)

14ns, 9ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.5V, 3.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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Renesas Electronics America Inc.

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Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.22V, 2.08V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

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