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1N6006C

1N6006C

僅供參考

型號 1N6006C
PNEDA編號 1N6006C
描述 DIODE ZENER 18V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6006C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6006C
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N6006C規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)42 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 14V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 62V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

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阻抗(最大值)(閽zt)

130 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

250nA @ 60V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±2%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

4.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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