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1N5550US

1N5550US

僅供參考

型號 1N5550US
PNEDA編號 1N5550US
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5550US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5550US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5550US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 9A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

115pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.078V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 2800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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