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1N3595-1

1N3595-1

僅供參考

型號 1N3595-1
PNEDA編號 1N3595-1
描述 DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3595-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3595-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N3595-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)125V
電流-平均整流(Io)150mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr1nA @ 125V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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