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1MS08017E32W31490NOSA1

1MS08017E32W31490NOSA1

僅供參考

型號 1MS08017E32W31490NOSA1
PNEDA編號 1MS08017E32W31490NOSA1
描述 MODULE IGBT STACK A-MS2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1MS08017E32W31490NOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1MS08017E32W31490NOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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  • 1MS08017E32W31490NOSA1 Distributor

1MS08017E32W31490NOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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200A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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175W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.52V @ 15V, 400A

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