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MT44K32M36RB-093E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1067MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA

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MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH MEM 16.75G X64 MCP

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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CY7C2270KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II+
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 550MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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70V3579S5BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (32K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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MT53E1536M32D4DT-046 WT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MTFC64GAJAEDN-AIT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 512G MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 512Gb (64G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 169-LFBGA
• 供應商設備包裝: 169-LFBGA (14x18)

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MTFC64GAJAEDQ-AIT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 512G MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 512Gb (64G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LBGA
• 供應商設備包裝: 100-LBGA (14x18)

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MTFC64GAJAECE-AIT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 512G MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 512Gb (64G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 169-LFBGA
• 供應商設備包裝: 169-LFBGA (14x18)

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70T3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (64K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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IS49RL36160-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-LBGA
• 供應商設備包裝: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-LBGA
• 供應商設備包裝: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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CY7C1462KV25-200AXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: NoBL™
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 36Mb (2M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1460AV25-200BZXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: NoBL™
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (15x17)

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MT44K64M18RB-107E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)

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MT44K32M36RB-107E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 933MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA

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70V09L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (128K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP

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CY7C2265KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 450MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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MT44K16M36RB-093F:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1067MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)

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CY7C1248KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II+
• 內存大小: 36Mb (2M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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70V3379S4PRFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (32K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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MT44K16M36RB-093E IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1067MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)

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7024L20G

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 84PGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (4K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 84-BPGA
• 供應商設備包裝: 84-PGA (27.94x27.94)

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MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
• 內存大小: 32Gb (1G x 32)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: 2133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.1V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 200-VFBGA
• 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)

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CY7C1460KVE25-250AXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: NoBL™
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 2.5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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MT44K16M36RB-093E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1067MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)

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MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1866MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
• 內存大小: 32Gb (512M x 64)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: 1866MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.1V
• 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 376-WFBGA
• 供應商設備包裝: 376-WFBGA (14x14)

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CY7C1440KVE33-167AXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 512Gb (64G x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)

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70V3569S4BFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 576Kb (16K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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7132LA35C

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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