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FSF10A40

Kyocera

整流器-單

DIODE FAST RECOVERY 400V 10A TO-

• 制造商: Kyocera International Inc. Electronic Components
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 10A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 10A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 30µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: TO-220-2 Full-Mold
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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60CPQ150

SMC Diode Solutions

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 150V TO247AD

• 制造商: SMC Diode Solutions
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 150V
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 830mV @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 150V
• 電容@ Vr，F: 820pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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RHRG3060

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.1V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247-2
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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RURG3060

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 250µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247-2
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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SS19

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 90V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 200µA @ 90V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AC, SMA
• 供應商設備包裝: SMA (DO-214AC)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 125°C

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MBR6045WT

Littelfuse

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD

• 制造商: Littelfuse Inc.
• 系列: MBR
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 45V
• 電流-平均整流（Io）: 30A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 650mV @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1mA @ 45V
• 電容@ Vr，F: 1400pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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STTH1003SB-TR

STMicroelectronics

整流器-單

DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: ECOPACK®2
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 300V
• 電流-平均整流（Io）: 10A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 10A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 35ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 300V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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S3B

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2.5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 100V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AB, SMC
• 供應商設備包裝: SMC (DO-214AB)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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S3A

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2.5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AB, SMC
• 供應商設備包裝: SMC (DO-214AB)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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1N5615

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 45pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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S1B

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 1.8µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 100V
• 電容@ Vr，F: 12pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AC, SMA
• 供應商設備包裝: SMA (DO-214AC)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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S1A

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 1.8µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: 12pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AC, SMA
• 供應商設備包裝: SMA (DO-214AC)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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1N4007-TP

Micro Commercial Co

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
• 供應商設備包裝: DO-41
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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IRG7PK35UD1PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 650µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 98nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/150ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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2SK3755-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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2SK3377-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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2SK3377(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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2SJ600-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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NTMFS4H01NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54A (Ta), 334A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5693pF @ 12V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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ZXMN3B01FTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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MMBT3904WT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

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BSP52T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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BCP69T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 1A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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BCP68T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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BC857BLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856BLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848CLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC848BLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC846BLT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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