VQ1006P-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 4 N-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 60pF @ 25V 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 - 供應商設備包裝 14-DIP |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 4 N-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 60pF @ 25V 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 - 供應商設備包裝 14-DIP |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 4 N-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 60pF @ 25V 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 - 供應商設備包裝 14-DIP |
