US5U35TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 800mOhm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.7nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 120pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TUMT5 包裝/箱 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
