UNR411H00A數據表
|
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 510 Ohms 電阻-發射極基（R2） 5.1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 10 kOhms 電阻-發射極基（R2） 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 47 kOhms 電阻-發射極基（R2） 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 47 kOhms 電阻-發射極基（R2） 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22 kOhms 電阻-發射極基（R2） 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 80MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SSIP 供應商設備包裝 NS-B1 |
