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TPC8207(TE12L數據表

TPC8207(TE12L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8207(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP (5.5x6.0)

TPC8207(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP (5.5x6.0)