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SUD50N10-18P-E3數據表

SUD50N10-18P-E3數據表
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Vishay Siliconix
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SUD50N10-18P-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 136.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63