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STT6N3LLH6數據表

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STMicroelectronics
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STT6N3LLH6

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

283pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-6

包裝/箱

SOT-23-6