STB10N60M2數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 85W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 85W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 85W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13.5nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 85W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
