Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SQJ457EP-T1_GE3數據表

SQJ457EP-T1_GE3數據表
總頁數: 10
大小: 206.57 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 1
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 2
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 3
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 4
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 5
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 6
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 7
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 8
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 9
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 10
SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8