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SPN02N60C3 E6433數據表

SPN02N60C3 E6433數據表
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Infineon Technologies
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SPN02N60C3 E6433

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

SPN02N60C3

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA