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SIZ918DT-T1-GE3數據表

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Vishay Siliconix
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SIZ918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

29W, 100W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerWDFN

供應商設備包裝

8-PowerPair® (6x5)